Micro LED：晶能光电硅衬底GaN基技术的应用机会
更新：2018-8-22 15:23:23 稿件：CNLED网 调整大小:【
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因具有超高解析度，高色彩饱和度，纳秒级响应时间以及低功耗等优点，Micro LED成为Apple、Sony、Facebook、Samsung、LG、Osram、Nichia等国际大厂争相布局的新世代显示技术。作为全球硅衬底GaN基LED技术的领跑者，晶能光电最近也将目光投向了Micro LED。
Micro LED芯片路线的选择，必须要考虑到成本、良率、以及和转移/键合工艺的兼容。外延片尺寸越大，不但可以降低芯片成本，提高外延面积利用率，而且更容易兼容IC工艺以提升Micro LED生产效率和良率。
晶能光电副总裁付羿表示，目前只有硅衬底GaN基LED实现了8英寸量产，并且在单片MOCVD
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