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DRV8300DRGER具有自举二极管的最大 100V 简单三相栅极驱动器
  • 深圳市蓝信伟业电子
  • 2022.5.16  
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  • 产品型号:drv8300drger
     

    产品品牌:ti
     

    产品封装:vqfn-24
     

    产品功能:驱动器
     

    drv8300drger 的说明

    drv8300 是 100-v 三半桥栅极驱动器,能够驱动高端和低端 n 沟道功率 mosfet。drv8300d 使用集成自举二极管和用于高端 mosfet 的外部电容器生成正确的栅极驱动电压。drv8300n 使用外部自举二极管和用于高端 mosfet 的外部电容器生成正确的栅极驱动电压。gvdd 用于产生低侧 mosfet 的栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750ma 的峰值拉电流和 1.5a 的灌电流。

     

    相位引脚 shx 能够承受显着的负电压瞬变;而高端栅极驱动器电源 bstx 和 ghx 能够支持更高的正电压瞬变 (125-v) 绝对最大电压,从而提高了系统的稳健性。小的传播延迟和延迟匹配规范最大限度地减少了死区时间要求,从而进一步提高了效率。通过 gvdd 和 bst 欠压锁定为低端和高端提供欠压保护。

     

    drv8300drger 的特性

    ●100v 三相半桥栅极驱动器驱动 n 沟道 mosfet (nmos)

     

    ●栅极驱动器电源 (gvdd):5-20 v

     

    ●mosfet 电源 (shx) 支持高达 100 v

     

    ●集成自举二极管(drv8300d 器件)

     

    ●支持反相和同相 inlx 输入

     

    ●自举栅极驱动架构750ma 源电流

     

    ●1.5a 灌电流

     

    ●支持高达 15s 的电池供电应用

     

    ●shx 引脚上的低漏电流 (<55 μa)

     

    ●绝对最大 bstx 电压高达 125v

     

    ●在 shx 上支持高达 -22v 的负瞬变

     

    ●内置交叉传导预防

     

    ●通过 dt 引脚可调节死区时间,用于 qfn 封装变体

     

    ●tssop 封装变体的固定死区插入时间为 200 ns

     

    ●支持 3.3v 和 5v 逻辑输入,最大 20v abs

     

    ●4 ns 典型传播延迟匹配

     

    ●紧凑型 qfn 和 tssop 封装

     

    ●使用电源模块进行高效系统设计

     

    ●综合保护功能bst 欠压锁定 (bstuv)

     

    ●gvdd 欠压 (gvdduv)

     

    封装图


    公众号/视频号





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