一、物料概述

ESN4485是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。该装置适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN4485不含铅。

二、功能特征

1、-40V，RDS（ON）=13 mΩ（Typ），VGS=-10V

RDS（ON）=17 mΩ（Typ），VGS=-4.5V

2、快速切换

3、低RDS的高密度电池设计（开）

4、材料：无卤素

5、可靠且坚固

6、雪崩额定值

7、低泄漏电流

三、应用

1、PWM应用

2、负载开关

3、便携式/台式电脑的电源管理

4、DC/DC转换