4月29日，法国3D结构GaN LED技术开发商Aledia宣布，公司成功研发1.5μm以下的Micro LED并具有超过32%的外部量子效率（EQE），从而实现每瓦电功率为320毫瓦可见光输出的光电转换效率 (WPE) ，能源效率创造了新的世界记录。

Aledia表示，高EQE意味着更多的电力被转换为可见光，从而降低能耗并延长了设备电池寿命。同样，高WPE说明了Aledia的Micro LED能够提供明亮、生动的显示，同时用电更少，这为建立高性能环保显示技术提供了一种新的规范。

Aledia还表示，通过深度科技技术，新研发的Micro LED在原生红、绿、蓝色的 (RGB) 方向性和像素尺寸缩小方面上取得了突破性进步，让AR显示效果更加清晰，图像更将鲜艳。

图片来源：Aledia

此外，Aledia还透露公司Micro LED产品已达到99% DCI P3色域标准，产品可实现更广泛的色彩范围，Micro LED技术色彩保真度方面进一步加强，确保终端应用的显示效果。

资料显示，Aledia于2012年从法国Micro和纳米技术领先研究机构CEA-Leti实验室分拆出来，公司一直致力于3D结构GaN Micro LED技术的研发，该技术也称作纳米线技术（nanowire）。

纳米线技术通过在晶圆上进行纳米等级的柱状立体加工制程打造出LED，这种LED产品拥有更高发光亮度，并且通过调节纳米线结构即可实现全彩显示。Aledia的Micro LED产品可用于各类显示产品上。

去年10月，Aledia完成最新一轮融资，融资金额为1.2亿欧元（约合人民币9.24亿元），融资资金将用于量产Micro LED产品。